Резултати

еНаука >  Резултати >  Modeling of γ-Irradiation and Lowered Temperature Effects in Power Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistors
Назив: Modeling of γ-Irradiation and Lowered Temperature Effects in Power Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistors
Аутори Golubovic, Snezana; Đoric-Veljkovic, Snezana  ; Davidovic, V.; Stojadinovic, Ninoslav
Година: 1999
Публикација: Japanese Journal of Applied Physics
ISSN: 0021-4922 Japanese Journal of Applied Physics Претражи идентификатор
Издавач: United Kingdom : IOP Publishing
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 38 br. 8R str. 4699-4702
DOI: 10.1143/JJAP.38.4699
WoS-ID: 000083181600014
Scopus-ID: 2-s2.0-0033173970
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/875742
Извор метаподатака: (Preuzeto iz CrossRef-a) Đorić-Veljković, Snežana
М-категорија: 
21M21 - Водећи међународни часопис категорије M21

Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.