Rezultati
eNauka >
Rezultati >
Modeling of γ-Irradiation and Lowered Temperature Effects in Power Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistors
| Naziv: | Modeling of γ-Irradiation and Lowered Temperature Effects in Power Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistors | Autori  : | Golubovic, Snezana; Đoric-Veljkovic, Snezana   ; Davidovic, V.; Stojadinovic, Ninoslav |
Godina: | 1999 | Publikacija: | Japanese Journal of Applied Physics | ISSN: | 0021-4922 Japanese Journal of Applied Physics Pretraži identifikator |
Izdavač: | United Kingdom : IOP Publishing | Tip rezultata: | Naučni članak | Kolacija: | vol. 38 br. 8R str. 4699-4702 | DOI: | 10.1143/JJAP.38.4699 | WoS-ID: | 000083181600014 | Scopus-ID: | 2-s2.0-0033173970 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/875742 | Izvor metapodataka: | (Preuzeto iz CrossRef-a) Đorić-Veljković, Snežana | M-kategorija: | 21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21 |
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.