Резултати
еНаука >
Резултати >
Temperature and gate bias effects on gamma-irradiated Al-gate metal-oxide-semiconductor transistors
| Назив: | Temperature and gate bias effects on gamma-irradiated Al-gate metal-oxide-semiconductor transistors | Аутори  : | Pejović, Momčilo  ; Golubović, Snežana ; Ristić, Goran  ; Odalović, Milan |
Година: | 1994 | Публикација: | Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | ISSN: | 0021-4922 Japanese Journal of Applied Physics Претражи идентификатор |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 33 br. 2 str. 986-990 | DOI: | 10.1143/jjap.33.986 | Scopus-ID: | 2-s2.0-0028378981 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881634 | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran | М-категорија: | 21M21 - Водећи међународни часопис категорије M21 |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.