Results

eNauka >  Rezultati >  Modelling of δvt in NBT stressed P-channel power VDMOSFETS
Naziv: Modelling of δv<sub>t</sub> in NBT stressed P-channel power VDMOSFETS
Autori: Mitrović, Nikola  ; Danković, Danijel  ; Prijić, Zoran  ; Stojadinović, Ninoslav 
Godina: 2019
Publikacija: 2019 IEEE 31st International Conference on Microelectronics, MIEL 2019 - Proceedings
ISSN: 2159-1679 Pretraži identifikator
Tip rezultata: Konferencijski rad
ISBN: 978-1-7281-3419-2 Pretraži identifikator
Kolacija: str. 177-180
DOI: 10.1109/MIEL.2019.8889584
WoS-ID: 000565455600037
Scopus-ID: 2-s2.0-85075385957
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/889237
Projekat: Ministry of Education, Science and Technological Development of the Republic of Serbia [OI-171026, TR-32026]
Serbian Academy of Sciences and Arts (SASA) [F-148]
Izvor metapodataka: Migrirano iz RIS podataka
(Preuzeto iz Nasi u WoS)
(Preuzeto iz ORCID-a) Danković, Danijel
M-kategorija: 
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

6
SCOPUSTM
3
WEB OF SCIENCETM
Altmetric
Dimensions
Unpaywall

Google ScholarTM

Items in eNauka are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.