Резултати
еНаука >
Резултати >
Thermal annealing induced recovery of the VT of irradiated commercial MOS transistors
| Назив: | Thermal annealing induced recovery of the VT of irradiated commercial MOS transistors | Аутори: | Mitrović, Nikola   ; Guirado, Damian; Danković, Danijel ; Palma, Alberto; Ristić, Goran ; Carvajal, Miguel |
Година: | 2024 | Публикација: | Journal of Circuits, Systems and Computers | ISSN: | 0218-1266 Journal of Circuits Systems and Computers Претражи идентификатор |
Тип резултата: | Научни чланак | DOI: | 10.1142/S0218126625410026 | WoS-ID: | 001373246200001 | Scopus-ID: | 2-s2.0-85211992212 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/942148 | Пројекат: | ELICSIR - Enhancement of Sceintific Excellence and Innovation Potential in Electronic Instrumentation for Ionising Radiation Environments Ministarstvo nauke, tehnološkog razvoja i inovacija Republike Srbije, institucionalno finansiranje - 200102 (Univerzitet u Nišu, Elektronski fakultet) |
Извор метаподатака: | (Preuzeto iz CrossRef-a) Mitrović, Nikola (Preuzeto iz Nasi u WoS) |
М-категорија: | 22M22 - Међународни часопис категорије M22 |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.