Резултати

еНаука >  Резултати >  Recovery Analysis of Sequentially Irradiated and NBT-Stressed VDMOS Transistors
Назив: Recovery Analysis of Sequentially Irradiated and NBT-Stressed VDMOS Transistors
Аутори: Đorić Veljković, Snežana  ; Živanović, Emilija  ; Davidović, Vojkan  ; Veljković, Sandra  ; Mitrović, Nikola  ; Ristić, Goran  ; Paskaleva, Albena; Spassov, Dencho; Danković, Danijel  
Година: 2024
Публикација: Micromachines
ISSN: 2072-666X Micromachines Претражи идентификатор
Издавач: MDPI
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 16 br. 1 str. 27-27
DOI: 10.3390/mi16010027
WoS-ID: 001404382600001
Scopus-ID: 2-s2.0-85216126487
PMID: 39858683
PMCID: PMC11767675
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/958715
Пројекат: European Union's Horizon 2024 research and innovation program [SPS G5974-"High-k Dielectric RADFET]
European Union's Horizon 2024 research and innovation program through the AIDA4Edge Twinning project [101160293]
Ministry of Science, Technological Development and Innovation of the Republic of Serbia [451-03-65/2024-03/200102, 451-03-65/2024-03/200095]
Извор метаподатака: (Preuzeto iz CrossRef-a) Veljković, Sandra
М-категорија: 
21M21 - Водећи међународни часопис категорије M21

Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.