Резултати
еНаука >
Резултати >
Proposal of Dual-Gate Oxide Layered with HfO2: Comparative Results with SiO2-RadFET
| Назив: | Proposal of Dual-Gate Oxide Layered with HfO2: Comparative Results with SiO2-RadFET | Аутори: | Yilmaz, Ercan; Ristić, Goran   ; Turan, Rasit; Yilmaz, Ozan; Gurer, Umutcan; Danković, Danijel ; Budak, Erhan; Marjanović, Miloš ; Veljković, Sandra ; Mutale, Alex; |
Година: | 2025 | Публикација: | Radiation Physics and Chemistry | ISSN: | 0969-806X Radiation Physics and Chemistry Претражи идентификатор |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 232 str. 112691-112691 | DOI: | 10.1016/j.radphyschem.2025.112691 | WoS-ID: | 001449822400001 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/973225 | Пројекат: | North Atlantic Treaty Organization (NATO) SPS MYP [G5974] | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz CrossRef-a) Marjanović, Miloš | М-категорија: | 21M21 - Рад у врхунском међ. часопису |
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.