Резултати

еНаука >  Резултати >  Proposal of Dual-Gate Oxide Layered with HfO2: Comparative Results with SiO2-RadFET
Назив: Proposal of Dual-Gate Oxide Layered with HfO2: Comparative Results with SiO2-RadFET
Аутори: Yilmaz, Ercan; Ristić, Goran  ; Turan, Rasit; Yilmaz, Ozan; Gurer, Umutcan; Danković, Danijel  ; Budak, Erhan; Marjanović, Miloš  ; Veljković, Sandra  ; Mutale, Alex;
Kahraman, Aysegul;
Година: 2025
Публикација: Radiation Physics and Chemistry
ISSN: 0969-806X Radiation Physics and Chemistry Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 232 str. 112691-112691
DOI: 10.1016/j.radphyschem.2025.112691
WoS-ID: 001449822400001
Scopus-ID: 2-s2.0-86000597822
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/973225
Пројекат: North Atlantic Treaty Organization (NATO) SPS MYP [G5974]
Извор метаподатака: (Preuzeto iz CrossRef-a) Marjanović, Miloš
М-категорија: 
21aM21a - Водећи међународни часопис категорије M21a

Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.