еНаука - преглед

Преглед према Аутор Jankovic, Nebojsa D

Приказ резултата 1 до 20 од 23  следеће >
ГодинаНасловАутор(и)Тип резултатаМп-кат.
2005A compact nonquasi-static MOSFET model based on the equivalent nonlinear transmission linePesic, Tatjana V; Jankovic, Nebojsa DНаучни чланак
21M21 - Рад у врхунском међ. часопису
2003A model for capacitance reconstruction from measured lossy MOS capacitance-voltage characteristicsKwa, KSK; Chattopadhyay, S; Jankovic, Nebojsa D; Olsen, SH; Driscoll, LS; O'Neill, AGНаучни чланак
21M21 - Рад у врхунском међ. часопису
2022A physics-based electrical model of a magnetically sensitive AlGaN/GaN HEMTJankovic, Nebojsa D; Faramehr, Soroush; Igic, PetarНаучни чланак
23M23 - Рад у међ. часопису
2007All injection level power PiN diode model including temperature dependenceJankovic, Nebojsa D; Pesic, Tatjana V; Igic, PetarНаучни чланак
21M21 - Рад у врхунском међ. часопису
2006An advance physics-based sub-circuit model of IGBTJankovic, Nebojsa D; Zhou, Zhongfu; Batcup, Steve; Igic, PetarКонференцијски рад
Мп категорија ће бити приказана накнадно.
2009An advanced physics-based sub-circuit model of a punch-trough insulated gate bipolar transistorJankovic, Nebojsa D; Zhou, Zhongfu; Batcup, Steve; Igic, PetarНаучни чланак
23M23 - Рад у међ. часопису
2001An analytical model of the inverse base width modulation effect in SiGe graded heterojunction bipolar transistorsPesic, Tatjana V; Jankovic, Nebojsa DНаучни чланак
22M22 - Рад у истакнутом међ. часопису
2018Analysis of GaN MagHEMTsFaramehr, Soroush; Jankovic, Nebojsa D; Igic, PetarНаучни чланак
22M22 - Рад у истакнутом међ. часопису
2004Comparative analysis of the DC performance of DG MOSFETs on highly-doped and near-intrinsic silicon layersJankovic, Nebojsa D; Armstrong, GAНаучни чланак
22M22 - Рад у истакнутом међ. часопису
2019Development of GaN Transducer and On-Chip Concentrator for Galvanic Current SensingFaramehr, Soroush; Poluri, Nagaditya; Igic, Petar; Jankovic, Nebojsa D; De, Souza Maria MerlyneНаучни чланак
21M21 - Рад у врхунском међ. часопису
2018Dual-Drain GaN Magnetic Sensor Compatible With GaN RF Power TechnologyIgic, Petar; Jankovic, Nebojsa D; Evans, Jon; Elwin, Matthew; Batcup, Stephen; Faramehr, SoroushНаучни чланак
21M21 - Рад у врхунском међ. часопису
2007Dynamic MAGFET model for sensor simulationsJankovic, Nebojsa D; Pesic, Tatjana V; Pantic, Dragan S  Научни чланак
Мп категорија ће бити приказана накнадно.
2003Enhanced performance virtual substrate heterojunction bipolar transistor using strained-Si/SiGe emitterJankovic, Nebojsa D; O'Neill, AGНаучни чланак
21M21 - Рад у врхунском међ. часопису
2016Experimental Evaluation of Circuit-Based Modeling of the NBTI Effects in Double-Gate FinFETsJankovic, Nebojsa D; Young, Chadwin DНаучни чланак
22M22 - Рад у истакнутом међ. часопису
2019Gan Current Transducers for Harsh EnvironmentsFaramehr, Soroush; Jankovic, Nebojsa D; Igic, PetarКонференцијски рад
Мп категорија ће бити приказана накнадно.
2017High Sensitivity Dual-Gate Four-Terminal Magnetic Sensor Compatible With SOI FinFET TechnologyJankovic, Nebojsa D; Kryvchenkova, Olga; Batcup, Steve; Igic, PetarНаучни чланак
21M21 - Рад у врхунском међ. часопису
2017High Sensitivity Magnetic Sensors Compatible with Bulk Silicon and SOI IC TechnologyIgic, Petar; Kryvchenkova, Olga; Faramehr, Soroush; Batcup, Steve; Jankovic, Nebojsa DКонференцијски рад
Мп категорија ће бити приказана накнадно.
2006Modelling of strained-Si/SiGe NMOS transistors including DC self-heatingJankovic, Nebojsa D; Pesic, Tatjana V; O'Neill, AGНаучни чланак
21M21 - Рад у врхунском међ. часопису
2005Non-quasi-static physics-based circuit model of fully-depleted double-gate SOI MOSFETJankovic, Nebojsa D; Pesic, Tatjana VНаучни чланак
21M21 - Рад у врхунском међ. часопису
2004Physical-based non-quasi static MOSFET model for DC, AC and transient circuit analysisPesic, Tatjana V; Jankovic, Nebojsa DКонференцијски рад
Мп категорија ће бити приказана накнадно.
Приказ резултата 1 до 20 од 23  следеће >