Recovery Behavior of VDMOS Transistors under Sequential Irradiation and NBT Stress

Đorić-Veljković, Snežana; Živanović, Emilija; Davidović, Vojkan; Veljković, Sandra; Mitrović, Nikola; Ristić, Goran; Paskaleva, Albena; Spassov, Dencho; Danković, Danijel

Rezultati

eNauka > Rezultati > Recovery Behavior of VDMOS Transistors under Sequential Irradiation and NBT Stress

Naziv:	Recovery Behavior of VDMOS Transistors under Sequential Irradiation and NBT Stress
Autori:	Đorić-Veljković, Snežana ; Živanović, Emilija ; Davidović, Vojkan ; Veljković, Sandra ; Mitrović, Nikola ; Ristić, Goran ; Paskaleva, Albena; Spassov, Dencho; Danković, Danijel
Godina:	2025
Publikacija:	First RESIST Workshop: Cross-Layer Reliability Assessment of Electronic Systems – RESIST, 5-7 May 2025, Niš, Serbia, p. 20
Tip rezultata:	Konferencijski rad
ISBN:	978-86-6125-285-3 Pretraži identifikator
URI:	https://enauka.gov.rs/handle/123456789/1013196
Izvor metapodataka:	(Preuzeto iz ORCID-a) Veljković, Sandra
M-kategorija:	Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

Pronađi DOI

Pronalaženje DOI u servisu CrossRef-u na osnovu meta-podataka u zapisu. Prikazaće se DOI (i metapodaci) čiji se podaci najviše poklapaju. OPREZ - to ne mora biti ta publikacija.

Google Scholar^TM

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.