Резултати
eNauka >
Results >
Recovery Behavior of VDMOS Transistors under Sequential Irradiation and NBT Stress
| Назив: | Recovery Behavior of VDMOS Transistors under Sequential Irradiation and NBT Stress | Аутори: | Đorić-Veljković, Snežana   ; Živanović, Emilija ; Davidović, Vojkan ; Veljković, Sandra ; Mitrović, Nikola ; Ristić, Goran ; Paskaleva, Albena; Spassov, Dencho; Danković, Danijel |
Година: | 2025 | Публикација: | First RESIST Workshop: Cross-Layer Reliability Assessment of Electronic Systems – RESIST, 5-7 May 2025, Niš, Serbia, p. 20 | Тип резултата: | Конференцијски рад | ISBN: | 978-86-6125-285-3  Претражи идентификатор |
URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/1013196 | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz ORCID-a) Veljković, Sandra | М-категорија: | Мп категорија ће бити приказана накнадно. |
Google ScholarTM
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.