Negative Bias Temperature Instability in p-Channel Power VDMOSFETs Under Pulsed Bias Stress

Manić, Ivica; Danković, Danijel; Đorić-Veljković, Snežana; Prijić, Aneta; Davidović, Vojkan; Golubović, Snežana; Prijić, Zoran; Stojadinović, Ninoslav

Rezultati

eNauka > Rezultati > Negative Bias Temperature Instability in p-Channel Power VDMOSFETs Under Pulsed Bias Stress

Naziv:	Negative Bias Temperature Instability in p-Channel Power VDMOSFETs Under Pulsed Bias Stress
Autori:	Manić, Ivica ; Danković, Danijel ; Đorić-Veljković, Snežana ; Prijić, Aneta ; Davidović, Vojkan ; Golubović, Snežana ; Prijić, Zoran ; Stojadinović, Ninoslav
Godina:	2010
Publikacija:	Proceedings of 10th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2010)
Izdavač:	Prague, Czech Republic : Czech Technical University in Prague
Tip rezultata:	Konferencijski rad
ISBN:	978-80-01-04602-9 Pretraži identifikator
Kolacija:	str. 173-178
URI:	https://enauka.gov.rs/handle/123456789/146705
URL:	http://technology.feld.cvut.cz:8080/xwiki/bin/view/ISPS2010/
Izvor metapodataka:	Migrirano iz RIS podataka
M-kategorija:	Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

Pronađi DOI

Pronalaženje DOI u servisu CrossRef-u na osnovu meta-podataka u zapisu. Prikazaće se DOI (i metapodaci) čiji se podaci najviše poklapaju. OPREZ - to ne mora biti ta publikacija.

Google Scholar^TM

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.