Резултати

еНаука >  Резултати >  A stochastic model of gamma-ray induced oxide charge distribution and threshold voltage shift of MOS transistors
Назив: A stochastic model of gamma-ray induced oxide charge distribution and threshold voltage shift of MOS transistors
Аутори: Kevkić, Tijana  ; Odalovic, Mihajlo; Petkovic, Dragan
Година: 2012
Публикација: Nuclear Technology and Radiation Protection
ISSN: 1451-3994 Nuclear technology and radiation protection Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 27 br. 1 str. 33-39
DOI: 10.2298/ntrp1201033k
WoS-ID: 000302262800005
Scopus-ID: 2-s2.0-84861754174
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/187184
Извор метаподатака: Migrirano iz RIS podataka
М-категорија: 
22M22 - Рад у истакнутом међ. часопису

3
SCOPUSTM
2
OpenCitations
3
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions

Пронађи DOI
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.