Rezultati

eNauka >  Results >  A stochastic model of gamma-ray induced oxide charge distribution and threshold voltage shift of MOS transistors
Naziv: A stochastic model of gamma-ray induced oxide charge distribution and threshold voltage shift of MOS transistors
Autori: Kevkić, Tijana  ; Odalovic, Mihajlo; Petkovic, Dragan
Godina: 2012
Publikacija: Nuclear Technology and Radiation Protection
ISSN: 1451-3994 Nuclear technology and radiation protection Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 27 br. 1 str. 33-39
DOI: 10.2298/ntrp1201033k
WoS-ID: 000302262800005
Scopus-ID: 2-s2.0-84861754174
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/187184
Izvor metapodataka: Migrirano iz RIS podataka
M-kategorija: 
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22

3
SCOPUSTM
2
OpenCitations
3
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.