Measurements of Negative Bias Temperature Instability (NBTI) in p-Channel Power VDMOSFETs

Danković, Danijel; Prijić, Aneta; Manić, Ivica; Prijić, Zoran; Stojadinović, Ninoslav

Rezultati

eNauka > Rezultati > Measurements of Negative Bias Temperature Instability (NBTI) in p-Channel Power VDMOSFETs

Naziv:	Measurements of Negative Bias Temperature Instability (NBTI) in p-Channel Power VDMOSFETs
Autori:	Danković, Danijel ; Prijić, Aneta ; Manić, Ivica ; Prijić, Zoran ; Stojadinović, Ninoslav
Godina:	2012
Publikacija:	Proceedings of 11th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Prague
Izdavač:	Czech Technical University in Prague, Czech Republic
Tip rezultata:	Konferencijski rad
ISBN:	978-80-01-05100-9 Pretraži identifikator
Kolacija:	str. 240-245
URI:	https://enauka.gov.rs/handle/123456789/187594
URL:	http://technology.feld.cvut.cz/ISPS2012
Izvor metapodataka:	Migrirano iz RIS podataka
M-kategorija:	Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

Pronađi DOI

Pronalaženje DOI u servisu CrossRef-u na osnovu meta-podataka u zapisu. Prikazaće se DOI (i metapodaci) čiji se podaci najviše poklapaju. OPREZ - to ne mora biti ta publikacija.

Google Scholar^TM

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.