Modelling of Threshold Voltage Shift in Pulsed NBT Stressed P-Channel Power VDMOSFETs

Danković, Danijel M.; Manić, Ivica Đ.; Stojadinović, Ninoslav D.; Prijić, Zoran D.; Đorić-Veljković, Snežana M.; Davidović, Vojkan S.; Prijić, Aneta P.; A. Paskaleva; D. Spassov; Golubović, Snežana B.

Резултати

еНаука > Резултати > Modelling of Threshold Voltage Shift in Pulsed NBT Stressed P-Channel Power VDMOSFETs

Назив:	Modelling of Threshold Voltage Shift in Pulsed NBT Stressed P-Channel Power VDMOSFETs
Аутори:	Danković, Danijel M. ; Manić, Ivica Đ. ; Stojadinović, Ninoslav D. ; Prijić, Zoran D. ; Đorić-Veljković, Snežana M. ; Davidović, Vojkan S. ; Prijić, Aneta P. ; A. Paskaleva; D. Spassov; Golubović, Snežana B.
Година:	2017
Публикација:	2017 IEEE 30TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS (MIEL)
ISSN:	2159-1660 Претражи идентификатор
Издавач:	Niš, Serbia : IEEE
Тип резултата:	Конференцијски рад
ISBN:	978-1-5386-2561-3 Претражи идентификатор
Колација:	vol. 30 str. 147-151
WoS-ID:	000427499000030
URI:	http://ieeexplore.ieee.org/document/8190089/ https://enauka.gov.rs/handle/123456789/214808
URL:	http://ieeexplore.ieee.org/document/8190089/
Пројекат:	Ministry of Education, Science and Technological Development of the Republic of Serbia [OI-171026, TR-32026] Serbian Academy of Sciences and Arts (SASA) [F-148]
Извор метаподатака:	Migracija
М-категорија:	Мп категорија ће бити приказана накнадно.

Пронађи DOI

Проналажење DOI у сервису CrossRef-у на основу мета-података у запису. Приказаће се DOI (и метаподаци) чији се подаци највише поклапају. ОПРЕЗ - то не мора бити та публикација.

Google Scholar^TM

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.