Modelling of Threshold Voltage Shift in Pulsed NBT Stressed P-Channel Power VDMOSFETs

Danković, Danijel M.; Manić, Ivica Đ.; Stojadinović, Ninoslav D.; Prijić, Zoran D.; Đorić-Veljković, Snežana M.; Davidović, Vojkan S.; Prijić, Aneta P.; A. Paskaleva; D. Spassov; Golubović, Snežana B.

Rezultati

eNauka > Rezultati > Modelling of Threshold Voltage Shift in Pulsed NBT Stressed P-Channel Power VDMOSFETs

Naziv:	Modelling of Threshold Voltage Shift in Pulsed NBT Stressed P-Channel Power VDMOSFETs
Autori:	Danković, Danijel M. ; Manić, Ivica Đ. ; Stojadinović, Ninoslav D. ; Prijić, Zoran D. ; Đorić-Veljković, Snežana M. ; Davidović, Vojkan S. ; Prijić, Aneta P. ; A. Paskaleva; D. Spassov; Golubović, Snežana B.
Godina:	2017
Publikacija:	2017 IEEE 30TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS (MIEL)
ISSN:	2159-1660 Pretraži identifikator
Izdavač:	Niš, Serbia : IEEE
Tip rezultata:	Konferencijski rad
ISBN:	978-1-5386-2561-3 Pretraži identifikator
Kolacija:	vol. 30 str. 147-151
WoS-ID:	000427499000030
URI:	http://ieeexplore.ieee.org/document/8190089/ https://enauka.gov.rs/handle/123456789/214808
URL:	http://ieeexplore.ieee.org/document/8190089/
Projekat:	Ministry of Education, Science and Technological Development of the Republic of Serbia [OI-171026, TR-32026] Serbian Academy of Sciences and Arts (SASA) [F-148]
Izvor metapodataka:	Migracija
M-kategorija:	Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

4
WEB OF SCIENCE^TM

Pronađi DOI

Pronalaženje DOI u servisu CrossRef-u na osnovu meta-podataka u zapisu. Prikazaće se DOI (i metapodaci) čiji se podaci najviše poklapaju. OPREZ - to ne mora biti ta publikacija.

Google Scholar^TM

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.