Резултати

еНаука >  Резултати >  Modeling and PSPICE Simulation of Radiation Stress Influence on Threshold Voltage Shifts in P-Channel Power VDMOS Transistors
Назив Modeling and PSPICE Simulation of Radiation Stress Influence on Threshold Voltage Shifts in P-Channel Power VDMOS Transistors
Аутори: Marjanović, Miloš  ; Danković, Danijel  ; Davidović, Vojkan  ; Prijić, Aneta  ; Stojadinović, Ninoslav D. ; Prijić, Zoran  ; Janković, Nebojša D. 
Година: 2015
Публикација: RAD 2015: THE THIRD INTERNATIONAL CONFERENCE ON RADIATION AND APPLICATIONS IN VARIOUS FIELDS OF RESEARCH
Издавач: RAD Association, Montenegro
Тип резултата: Конференцијски рад
ISBN: 978-86-80300-01-6 Претражи идентификатор
Колација: str. 405-408
WoS-ID: 000387979700083
URI: http://www.rad-conference.org
https://enauka.gov.rs/handle/123456789/233485
URL: http://www.rad-conference.org
Извор метаподатака: Migracija
М-категорија: 
Мп категорија ће бити приказана накнадно.

Пронађи DOI


Google ScholarTM

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.