Modeling and PSPICE Simulation of Radiation Stress Influence on Threshold Voltage Shifts in P-Channel Power VDMOS Transistors

Marjanović, Miloš; Danković, Danijel; Davidović, Vojkan; Prijić, Aneta; Stojadinović, Ninoslav D.; Prijić, Zoran; Janković, Nebojša D.

Rezultati

eNauka > Rezultati > Modeling and PSPICE Simulation of Radiation Stress Influence on Threshold Voltage Shifts in P-Channel Power VDMOS Transistors

Naziv :	Modeling and PSPICE Simulation of Radiation Stress Influence on Threshold Voltage Shifts in P-Channel Power VDMOS Transistors
Autori:	Marjanović, Miloš ; Danković, Danijel ; Davidović, Vojkan ; Prijić, Aneta ; Stojadinović, Ninoslav D. ; Prijić, Zoran ; Janković, Nebojša D.
Godina:	2015
Publikacija:	RAD 2015: THE THIRD INTERNATIONAL CONFERENCE ON RADIATION AND APPLICATIONS IN VARIOUS FIELDS OF RESEARCH
Izdavač:	RAD Association, Montenegro
Tip rezultata:	Konferencijski rad
ISBN:	978-86-80300-01-6 Pretraži identifikator
Kolacija:	str. 405-408
WoS-ID:	000387979700083
URI:	http://www.rad-conference.org https://enauka.gov.rs/handle/123456789/233485
URL:	http://www.rad-conference.org
Izvor metapodataka:	Migracija
M-kategorija:	Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

Pronađi DOI

Pronalaženje DOI u servisu CrossRef-u na osnovu meta-podataka u zapisu. Prikazaće se DOI (i metapodaci) čiji se podaci najviše poklapaju. OPREZ - to ne mora biti ta publikacija.

Google Scholar^TM

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.