Резултати

еНаука >  Резултати >  Annealing influence on recovery of electrically stressed power vertical double-diffused metal oxide semiconductor transistors
Назив: Annealing influence on recovery of electrically stressed power vertical double-diffused metal oxide semiconductor transistors
Аутори: Đorić-Veljković, Snežana  ; Manić, Ivica  ; Davidović, Vojkan  ; Danković, Danijel  ; Golubović, Snežana ; Stojadinović, Ninoslav 
Година: 2015
Публикација: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN: 0021-4922 Japanese Journal of Applied Physics Претражи идентификатор
Издавач: United Kingdom : IOP Publishing
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 54 br. 6 str. 064101-064101
DOI: 10.7567/jjap.54.064101
WoS-ID: 000357818600016
Scopus-ID: 2-s2.0-84930421502
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/249377
Пројекат: Ministry of Education, Science and Technological Development of the Republic of Serbia [OI171026]
Извор метаподатака: Migracija
М-категорија: 
22M22 - Међународни часопис категорије M22

1
OpenCitations
1
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.