Резултати
еНаука >
Резултати >
Annealing influence on recovery of electrically stressed power vertical double-diffused metal oxide semiconductor transistors
| Назив: | Annealing influence on recovery of electrically stressed power vertical double-diffused metal oxide semiconductor transistors | Аутори: | Đorić-Veljković, Snežana |
Година: | 2015 | Публикација: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | ISSN: | 0021-4922 Japanese Journal of Applied Physics Претражи идентификатор |
Издавач: | United Kingdom : IOP Publishing | Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 54 br. 6 str. 064101-064101 | DOI: | 10.7567/jjap.54.064101 | WoS-ID: | 000357818600016 | Scopus-ID: | 2-s2.0-84930421502 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/249377 | Пројекат: | Ministry of Education, Science and Technological Development of the Republic of Serbia [OI171026] | Извор метаподатака: | Migracija | М-категорија: | 22M22 - Међународни часопис категорије M22 |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.