Rezultati
eNauka >
Rezultati >
Annealing influence on recovery of electrically stressed power vertical double-diffused metal oxide semiconductor transistors
| Naziv: | Annealing influence on recovery of electrically stressed power vertical double-diffused metal oxide semiconductor transistors | Autori: | Đorić-Veljković, Snežana   ; Manić, Ivica ; Davidović, Vojkan ; Danković, Danijel ; Golubović, Snežana ; Stojadinović, Ninoslav |
Godina: | 2015 | Publikacija: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | ISSN: | 0021-4922 Japanese Journal of Applied Physics Pretraži identifikator |
Izdavač: | United Kingdom : IOP Publishing | Tip rezultata: | Naučni članak | Kolacija: | vol. 54 br. 6 str. 064101-064101 | DOI: | 10.7567/jjap.54.064101 | WoS-ID: | 000357818600016 | Scopus-ID: | 2-s2.0-84930421502 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/249377 | Projekat: | Ministry of Education, Science and Technological Development of the Republic of Serbia [OI171026] | Izvor metapodataka: | Migracija | M-kategorija: | 22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22 |
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.