Резултати
| Назив: | Defect Behaviors During High Electric Field Stress of p-Channel Power MOSFETs | Аутори: | Ristić, Goran   |
Година: | 2012 | Публикација: | IEEE Transactions on Device and Materials Reliability | ISSN: | 1530-4388 IEEE Transactions on Device and Materials Reliability Претражи идентификатор |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 12 br. 1 str. 94-100 | DOI: | 10.1109/tdmr.2011.2168399 | WoS-ID: | 000301236700014 | Scopus-ID: | 2-s2.0-84858118262 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/291590 | Извор метаподатака: | Migrirano iz RIS podataka | М-категорија: | 21M21 - Водећи међународни часопис категорије M21 |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.