Rezultati
| Naziv: | Defect Behaviors During High Electric Field Stress of p-Channel Power MOSFETs | Autori: | Ristić, Goran   |
Godina: | 2012 | Publikacija: | IEEE Transactions on Device and Materials Reliability | ISSN: | 1530-4388 IEEE Transactions on Device and Materials Reliability Pretraži identifikator |
Tip rezultata: | Naučni članak | Kolacija: | vol. 12 br. 1 str. 94-100 | DOI: | 10.1109/tdmr.2011.2168399 | WoS-ID: | 000301236700014 | Scopus-ID: | 2-s2.0-84858118262 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/291590 | Izvor metapodataka: | Migrirano iz RIS podataka | M-kategorija: | 21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21 |
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.