Резултати

еНаука >  Резултати >  Application of p-Channel Power VDMOSFET as a High Radiation Doses Sensor
Назив: Application of p-Channel Power VDMOSFET as a High Radiation Doses Sensor
Аутори: Pejović, Milić  
Година: 2015
Публикација: IEEE Transactions on Nuclear Science
ISSN: 0018-9499 IEEE Transactions on Nuclear Science Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 62 br. 4 str. 1905-1910
DOI: 10.1109/tns.2015.2456211
WoS-ID: 000360016400026
Scopus-ID: 2-s2.0-85027944552
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/294809
Извор метаподатака: Migrirano iz RIS podataka
М-категорија: 
21M21 - Рад у врхунском међ. часопису

27
SCOPUSTM
18
OpenCitations
20
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions

Пронађи DOI
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.