Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Application of p-Channel Power VDMOSFET as a High Radiation Doses Sensor
Naziv: Application of p-Channel Power VDMOSFET as a High Radiation Doses Sensor
Autori: Pejović, Milić  
Godina: 2015
Publikacija: IEEE Transactions on Nuclear Science
ISSN: 0018-9499 IEEE Transactions on Nuclear Science Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 62 br. 4 str. 1905-1910
DOI: 10.1109/tns.2015.2456211
WoS-ID: 000360016400026
Scopus-ID: 2-s2.0-85027944552
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/294809
Izvor metapodataka: Migrirano iz RIS podataka
M-kategorija: 
21M21 - Rad u vrhunskom međ. časopisu

29
SCOPUSTM
18
OpenCitations
22
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions

Pronađi DOI
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.