Резултати
еНаука >
Резултати >
Simulation of semiconductor bulk trap influence on the electrical characteristics of the n-channel power VDMOS transistor
| Назив: | Simulation of semiconductor bulk trap influence on the electrical characteristics of the n-channel power VDMOS transistor | Аутори: | Pantić, Dragan   ; Aleksić, Sanja ; Pešić, Biljana |
Година: | 2013 | Публикација: | Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronics Components and Materials | ISSN: | 0352-9045 Informacije Midem. Journal of Microelectronics, Electric Components and Materials Претражи идентификатор |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 24 br. 2 str. 124-230 | WoS-ID: | 000320715700007 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/304006 | Извор метаподатака: | Migrirano iz RIS podataka | М-категорија: | 23M23 - Међународни часопис категорије M23 |
5
WEB OF SCIENCETM
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.