Simulation of semiconductor bulk trap influence on the electrical characteristics of the n-channel power VDMOS transistor

Pantić, Dragan; Aleksić, Sanja; Pešić, Biljana

Rezultati

eNauka > Rezultati > Simulation of semiconductor bulk trap influence on the electrical characteristics of the n-channel power VDMOS transistor

Naziv:	Simulation of semiconductor bulk trap influence on the electrical characteristics of the n-channel power VDMOS transistor
Autori:	Pantić, Dragan ; Aleksić, Sanja ; Pešić, Biljana
Godina:	2013
Publikacija:	Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronics Components and Materials
ISSN:	0352-9045 Informacije Midem. Journal of Microelectronics, Electric Components and Materials Pretraži identifikator
Tip rezultata:	Naučni članak
Kolacija:	vol. 24 br. 2 str. 124-230
WoS-ID:	000320715700007
URI:	https://enauka.gov.rs/handle/123456789/304006
Izvor metapodataka:	Migrirano iz RIS podataka
M-kategorija:	23M23 - Međunarodni časopis kategorije M23

5
WEB OF SCIENCE^TM

Pronađi DOI

Pronalaženje DOI u servisu CrossRef-u na osnovu meta-podataka u zapisu. Prikazaće se DOI (i metapodaci) čiji se podaci najviše poklapaju. OPREZ - to ne mora biti ta publikacija.

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.