Argon ions deeply implanted in silicon studied by Rutherford/Elastic Backscattering and Grazing Incidence X-ray Fluorescence spectroscopy

Резултати

Назив:	Argon ions deeply implanted in silicon studied by Rutherford/Elastic Backscattering and Grazing Incidence X-ray Fluorescence spectroscopy
Аутори:	Kokkoris, Michael; Androulakaki, Effrossyni G.; Czyzycki, Mateusz; Erich, Marko ; Karydas, Andreas G.; Leani, Juan J.; Migliori, Alessandro; Ntemou, Eleni; Paneta, Valentina; Petrović, Srđan M.
Година:	2019
Публикација:	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
ISSN:	0168-583X Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms Претражи идентификатор 1872-9584 Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms Претражи идентификатор
Тип резултата:	Конференцијски рад
Колација:	vol. 450 str. 144-148
DOI:	10.1016/j.nimb.2018.08.048
WoS-ID:	000474501400030
Scopus-ID:	2-s2.0-85053018989
URI:	https://vinar.vin.bg.ac.rs/handle/123456789/8396 https://enauka.gov.rs/handle/123456789/351171
Пројекат:	IAEA CRP-G42005 'Experiments with Synchrotron Radiation for Modern Environmental and Industrial Applications [18262]
Извор метаподатака:	(Preuzeto iz Nasi u WoS)
М-категорија:	Мп категорија ће бити приказана накнадно.

4
SCOPUS^TM

3
OpenCitations

4
WEB OF SCIENCE^TM

Алт метрика

Dimensions

Unpaywall

Google Scholar^TM

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.