Резултати

eNauka >  Results >  A new threshold voltage analytical model of strained Si/SiGe MOSFET
Title: A new threshold voltage analytical model of strained Si/SiGe MOSFET
Authors: Lukić, Petar M.  ; Ramović, Rifat M.; Šašić, Rajko
Issue Date: 2006
Publication: 2006 25th International Conference on Microelectronics, MIEL 2006 - Proceedings
ISSN: 2159-1660 Search Idenfier
Publisher: 2006 25th International Conference on Microelectronics, MIEL 2006
Type: Article
Collation: str. 472-475
DOI: 10.1109/ICMEL.2006.1651004
WoS-ID: 000238839700101
Scopus-ID: 2-s2.0-77956550897
URI: http://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/886
https://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/886
https://enauka.gov.rs/handle/123456789/411643
http://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/923
M-category: 
Mp. category will be shown later

2
SCOPUSTM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.