Rezultati
| Naziv: | A new threshold voltage analytical model of strained Si/SiGe MOSFET | Autori: | Lukić, Petar M.   ; Ramović, Rifat M.; Šašić, Rajko |
Godina: | 2006 | Publikacija: | 2006 25th International Conference on Microelectronics, MIEL 2006 - Proceedings | ISSN: | 2159-1660  Pretraži identifikator |
Izdavač: | 2006 25th International Conference on Microelectronics, MIEL 2006 | Tip rezultata: | Naučni članak | Kolacija: | str. 472-475 | DOI: | 10.1109/ICMEL.2006.1651004 | WoS-ID: | 000238839700101 | Scopus-ID: | 2-s2.0-77956550897 | URI: | http://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/886 https://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/886 https://enauka.gov.rs/handle/123456789/411643 http://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/923 |
M-kategorija: | Mp kategorija će biti prikazana naknadno. |
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.