Резултати
| Назив: | A new threshold voltage analytical model of strained Si/SiGe MOSFET | Аутори: | Lukić, Petar M.   ; Ramović, Rifat M.; Šašić, Rajko |
Година: | 2006 | Публикација: | 2006 25th International Conference on Microelectronics, MIEL 2006 - Proceedings | ISSN: | 2159-1660  Претражи идентификатор |
Издавач: | 2006 25th International Conference on Microelectronics, MIEL 2006 | Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | str. 472-475 | DOI: | 10.1109/ICMEL.2006.1651004 | WoS-ID: | 000238839700101 | Scopus-ID: | 2-s2.0-77956550897 | URI: | http://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/886 https://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/886 https://enauka.gov.rs/handle/123456789/411643 http://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/923 |
М-категорија: | Мп категорија ће бити приказана накнадно. |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.