Резултати
еНаука >
Резултати >
Interface and oxide state behaviors of commercial n-channel power MOSFETs during high electric field stress and thermal annealing at 150 °C
| Назив: | Interface and oxide state behaviors of commercial n-channel power MOSFETs during high electric field stress and thermal annealing at 150 °C | Аутори: | Ristić, Goran |
Година: | 2011 | Публикација: | Semiconductor Science and Technology | ISSN: | 0268-1242 Semiconductor Science and Technology Претражи идентификатор |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 26 br. 8 str. 085019-085019 | DOI: | 10.1088/0268-1242/26/8/085019 | WoS-ID: | 000293895900020 | Scopus-ID: | 2-s2.0-80051960428 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/446508 | Извор метаподатака: | Migrirano iz RIS podataka | М-категорија: | 21M21 - Водећи међународни часопис категорије M21 |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.