Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Interface and oxide state behaviors of commercial n-channel power MOSFETs during high electric field stress and thermal annealing at 150 °C
Naziv: Interface and oxide state behaviors of commercial n-channel power MOSFETs during high electric field stress and thermal annealing at 150 °C
Autori: Ristić, Goran  ; Vasović, Nikola D
Godina: 2011
Publikacija: Semiconductor Science and Technology
ISSN: 0268-1242 Semiconductor Science and Technology Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 26 br. 8 str. 085019-085019
DOI: 10.1088/0268-1242/26/8/085019
WoS-ID: 000293895900020
Scopus-ID: 2-s2.0-80051960428
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/446508
Izvor metapodataka: Migrirano iz RIS podataka
M-kategorija: 
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21

2
SCOPUSTM
1
OpenCitations
2
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.