Резултати
еНаука >
Резултати >
High Energy Nitrogen Ions Channeling Implantation in <110> and Randomly Oriented Silicon Crystals
| Назив: | High Energy Nitrogen Ions Channeling Implantation in <110> and Randomly Oriented Silicon Crystals | Аутори: | Erić, Marko   ; Petrović, Srđan ; Telečki, Igor ; V. Paneta; S. Harissopulos; F. Munnik; V. Paneta; S. Harissopulos |
Година: | 2011 | Публикација: | M. Erić, S. Petrović, M. Kokkoris, A. Lagoyannis, V. Paneta, S. Harissopulos, F. Munnik, I. Telečki, High Energy Nitrogen Ions Channeling Implantation in <110> and Randomly Oriented Silicon Crystals, SFKM 2011, April 18-22, Book of Abstracts, (2011) p. 70 | Издавач: | Srbija | Тип резултата: | Конференцијски рад | Колација: | str. 70-70 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/459528 | Извор метаподатака: | Migrirano iz RIS podataka | М-категорија: | Мп категорија ће бити приказана накнадно. |
Google ScholarTM
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.