Rezultati
eNauka >
Rezultati >
High Energy Nitrogen Ions Channeling Implantation in <110> and Randomly Oriented Silicon Crystals
| Naziv: | High Energy Nitrogen Ions Channeling Implantation in <110> and Randomly Oriented Silicon Crystals | Autori: | Erić, Marko   ; Petrović, Srđan ; Telečki, Igor ; V. Paneta; S. Harissopulos; F. Munnik; V. Paneta; S. Harissopulos |
Godina: | 2011 | Publikacija: | M. Erić, S. Petrović, M. Kokkoris, A. Lagoyannis, V. Paneta, S. Harissopulos, F. Munnik, I. Telečki, High Energy Nitrogen Ions Channeling Implantation in <110> and Randomly Oriented Silicon Crystals, SFKM 2011, April 18-22, Book of Abstracts, (2011) p. 70 | Izdavač: | Srbija | Tip rezultata: | Konferencijski rad | Kolacija: | str. 70-70 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/459528 | Izvor metapodataka: | Migrirano iz RIS podataka | M-kategorija: | Mp kategorija će biti prikazana naknadno. |
Google ScholarTM
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.