Резултати

еНаука >  Резултати >  NBTI and Irradiation Effects in P-Channel Power VDMOS Transistors
Назив: NBTI and Irradiation Effects in P-Channel Power VDMOS Transistors
Аутори: Davidović, Vojkan  ; Danković, Danijel  ; Ilic, Aleksandar; Manić, Ivica  ; Golubović, Snežana  ; Đorić-Veljković, Snežana  ; Prijić, Zoran  ; Stojadinović, Ninoslav 
Година: 2016
Публикација: IEEE Transactions on Nuclear Science
ISSN: 0018-9499 IEEE Transactions on Nuclear Science Претражи идентификатор
Издавач: United States : Institute of Electrical and Electronics Engineers
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 63 br. 2 str. 1268-1275
DOI: 10.1109/tns.2016.2533866
WoS-ID: 000375035800023
Scopus-ID: 2-s2.0-84964290783
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/467958
Извор метаподатака: Migrirano iz RIS podataka
М-категорија: 
21M21 - Рад у врхунском међ. часопису

27
SCOPUSTM
21
OpenCitations
24
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions

Пронађи DOI

Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.