Rezultati

eNauka >  Rezultati >  NBTI and Irradiation Effects in P-Channel Power VDMOS Transistors
Naziv: NBTI and Irradiation Effects in P-Channel Power VDMOS Transistors
Autori: Davidović, Vojkan  ; Danković, Danijel  ; Ilic, Aleksandar; Manić, Ivica  ; Golubović, Snežana ; Đorić-Veljković, Snežana  ; Prijić, Zoran  ; Stojadinović, Ninoslav 
Godina: 2016
Publikacija: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE
ISSN: 0018-9499 IEEE Transactions on Nuclear Science Pretraži identifikator
Izdavač: United States : Institute of Electrical and Electronics Engineers
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 63 br. 2 str. 1268-1275
DOI: 10.1109/tns.2016.2533866
WoS-ID: 000375035800023
Scopus-ID: 2-s2.0-84964290783
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/467958
Projekat: Ministry of Education, Science and Technological Development of the Republic of Serbia [OI-171026]
Izvor metapodataka: Migracija
M-kategorija: 
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21

32
SCOPUSTM
21
OpenCitations
29
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.