Резултати
еНаука >
Резултати >
Comparison of Radiation Characteristics of HfO2 and SiO2 Incorporated in MOS Capacitor in Field of Gamma and X Radiation
| Назив: | Comparison of Radiation Characteristics of HfO2 and SiO2 Incorporated in MOS Capacitor in Field of Gamma and X Radiation | Аутори: | Stanković, Srboljub J. |
Година: | 2019 | Публикација: | 2019 IEEE 31st International Conference on Microelectronics (MIEL) | Издавач: | IEEE | Тип резултата: | Конференцијски рад | ISBN: | 978-1-7281-3419-2 Претражи идентификатор |
Колација: | str. 181-184 | DOI: | 10.1109/MIEL.2019.8889613 | WoS-ID: | 000565455600038 | Scopus-ID: | 2-s2.0-85075333653 | URI: | https://vinar.vin.bg.ac.rs/handle/123456789/8659 https://ieeexplore.ieee.org/document/8889613/ https://enauka.gov.rs/handle/123456789/510475 |
URL: | https://ieeexplore.ieee.org/document/8889613/ | Пројекат: | Ministry of Education and Science of the Republic of Serbia | М-категорија: | Мп категорија ће бити приказана накнадно. |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.