Резултати

еНаука >  Резултати >  Comparison of Radiation Characteristics of HfO2 and SiO2 Incorporated in MOS Capacitor in Field of Gamma and X Radiation
Назив: Comparison of Radiation Characteristics of HfO2 and SiO2 Incorporated in MOS Capacitor in Field of Gamma and X Radiation
Аутори: Stanković, Srboljub J.  ; Nikolić, Dragana  ; Kržanović, Nikola  ; Nađđerđ, Laslo  ; Davidović, Vojkan S.  
Година: 2019
Публикација: 2019 IEEE 31st International Conference on Microelectronics (MIEL)
Издавач: IEEE
Тип резултата: Конференцијски рад
ISBN: 978-1-7281-3419-2 Претражи идентификатор
Колација: str. 181-184
DOI: 10.1109/MIEL.2019.8889613
WoS-ID: 000565455600038
Scopus-ID: 2-s2.0-85075333653
URI: https://vinar.vin.bg.ac.rs/handle/123456789/8659
https://ieeexplore.ieee.org/document/8889613/
https://enauka.gov.rs/handle/123456789/510475
URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/8889613/
Пројекат: Ministry of Education and Science of the Republic of Serbia
М-категорија: 
Мп категорија ће бити приказана накнадно.

3
SCOPUSTM
2
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Google ScholarTM

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.