Rezultati
eNauka >
Rezultati >
Comparison of Radiation Characteristics of HfO2 and SiO2 Incorporated in MOS Capacitor in Field of Gamma and X Radiation
| Naziv: | Comparison of Radiation Characteristics of HfO2 and SiO2 Incorporated in MOS Capacitor in Field of Gamma and X Radiation | Autori: | Stanković, Srboljub J.   ; Nikolić, Dragana ; Kržanović, Nikola ; Nađđerđ, Laslo ; Davidović, Vojkan S. |
Godina: | 2019 | Publikacija: | 2019 IEEE 31st International Conference on Microelectronics (MIEL) | Izdavač: | IEEE | Tip rezultata: | Konferencijski rad | ISBN: | 978-1-7281-3419-2  Pretraži identifikator |
Kolacija: | str. 181-184 | DOI: | 10.1109/MIEL.2019.8889613 | WoS-ID: | 000565455600038 | Scopus-ID: | 2-s2.0-85075333653 | URI: | https://vinar.vin.bg.ac.rs/handle/123456789/8659 https://ieeexplore.ieee.org/document/8889613/ https://enauka.gov.rs/handle/123456789/510475 |
URL: | https://ieeexplore.ieee.org/document/8889613/ | Projekat: | Ministry of Education and Science of the Republic of Serbia | M-kategorija: | Mp kategorija će biti prikazana naknadno. |
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.