Резултати

еНаука >  Резултати >  Brzine nagrizanja kristalografskih ravni silicijuma u vodenom rastvoru TMAH koncentracije 25 tež. %
Назив: Brzine nagrizanja kristalografskih ravni silicijuma u vodenom rastvoru TMAH koncentracije 25 tež. %
Etch rates of Si crystallographic planes in a 25 wt % TMAH water solution
Аутори: Smiljanić, Milče  ; Lazić, Žarko  ; Jović, Vesna ; Rašljić, Milena  
Година: 2013
Публикација: Zbornik 57. konferencije ETRAN, 3-6. juna 2013, Zlatibor / Proceedings of 57th ETRAN Conference, June 3-6, 2013, Zlatibor, Serbia
Издавач: Belgrade : ETRAN Society
Тип резултата: Конференцијски рад
ISBN: 978-86-80509-68-6 Претражи идентификатор
Колација: str. MO1.1.1-MO1.1.4
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/564976
https://cer.ihtm.bg.ac.rs/handle/123456789/5800
Пројекат: Микро, нано-системи и сензори за примену у електропривреди, процесној индустрији и заштити животне средине
Извор метаподатака: Migracija
М-категорија: 
Мп категорија ће бити приказана накнадно.

Пронађи DOI


Google ScholarTM

Creative Commons лиценца