Резултати
еНаука >
Резултати >
Brzine nagrizanja kristalografskih ravni silicijuma u vodenom rastvoru TMAH koncentracije 25 tež. %
![](https://cdn3.iconfinder.com/data/icons/flat-actions-icons-9/512/Tick_Mark-256.png)
Назив: | Brzine nagrizanja kristalografskih ravni silicijuma u vodenom rastvoru TMAH koncentracije 25 tež. % Etch rates of Si crystallographic planes in a 25 wt % TMAH water solution |
Аутори: | Smiljanić, Milče ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Година: | 2013 | Публикација: | Zbornik 57. konferencije ETRAN, 3-6. juna 2013, Zlatibor / Proceedings of 57th ETRAN Conference, June 3-6, 2013, Zlatibor, Serbia | Издавач: | Belgrade : ETRAN Society | Тип резултата: | Конференцијски рад | ISBN: | 978-86-80509-68-6![]() ![]() |
Колација: | str. MO1.1.1-MO1.1.4 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/564976 https://cer.ihtm.bg.ac.rs/handle/123456789/5800 |
Пројекат: | Микро, нано-системи и сензори за примену у електропривреди, процесној индустрији и заштити животне средине | Извор метаподатака: | Migracija | М-категорија: | Мп категорија ће бити приказана накнадно. |