Results

eNauka >  Rezultati >  Brzine nagrizanja kristalografskih ravni silicijuma u vodenom rastvoru TMAH koncentracije 25 tež. %
Naziv: Brzine nagrizanja kristalografskih ravni silicijuma u vodenom rastvoru TMAH koncentracije 25 tež. %
Etch rates of Si crystallographic planes in a 25 wt % TMAH water solution
Autori: Smiljanić, Milče  ; Lazić, Žarko  ; Jović, Vesna ; Rašljić, Milena  
Godina: 2013
Publikacija: Zbornik 57. konferencije ETRAN, 3-6. juna 2013, Zlatibor / Proceedings of 57th ETRAN Conference, June 3-6, 2013, Zlatibor, Serbia
Izdavač: Belgrade : ETRAN Society
Tip rezultata: Konferencijski rad
ISBN: 978-86-80509-68-6 Pretraži identifikator
Kolacija: str. MO1.1.1-MO1.1.4
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/564976
https://cer.ihtm.bg.ac.rs/handle/123456789/5800
Projekat: Микро, нано-системи и сензори за примену у електропривреди, процесној индустрији и заштити животне средине
Izvor metapodataka: Migracija
M-kategorija: 
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

Find the DOI


Google ScholarTM

Creative Commons License