Results

eNauka >  Results >  Brzine nagrizanja kristalografskih ravni silicijuma u vodenom rastvoru TMAH koncentracije 25 tež. %
Title: Brzine nagrizanja kristalografskih ravni silicijuma u vodenom rastvoru TMAH koncentracije 25 tež. %
Etch rates of Si crystallographic planes in a 25 wt % TMAH water solution
Authors: Smiljanić, Milče  ; Lazić, Žarko  ; Jović, Vesna ; Rašljić, Milena  
Issue Date: 2013
Publication: Zbornik 57. konferencije ETRAN, 3-6. juna 2013, Zlatibor / Proceedings of 57th ETRAN Conference, June 3-6, 2013, Zlatibor, Serbia
Publisher: Belgrade : ETRAN Society
Type: Conference Paper
ISBN: 978-86-80509-68-6 Search Idenfier
Collation: str. MO1.1.1-MO1.1.4
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/564976
https://cer.ihtm.bg.ac.rs/handle/123456789/5800
Project: Микро, нано-системи и сензори за примену у електропривреди, процесној индустрији и заштити животне средине
Metadata source: Migracija
M-category: 
Mp. category will be shown later

Find the DOI


Google ScholarTM

Creative Commons License