Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Comparative analysis of the switching energy losses in GaN HEMT and silicon MOSFET power transistors
Naziv: Comparative analysis of the switching energy losses in GaN HEMT and silicon MOSFET power transistors
Autori: Jovan Mrvić  ; Vladimir Dj. Vukić  
Godina: 2020
Publikacija: Proceedings, Electrical Engineering Institute "Nikola Tesla" / Zbornik radova, Elektrotehnički institut "Nikola Tesla" 30(1) 93-109
ISSN: 0350-8528 Zbornik radova, Elektrotehnički institut Nikola Tesla Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 30 br. 30 str. 93-109
DOI: 10.5937/zeint30-29318
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/581322
https://zenodo.org/record/6597734
M-kategorija: 
53M53 - Nacionalni časopis kategorije M53

Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.