Резултати
еНаука >
Резултати >
Comparative analysis of the switching energy losses in GaN HEMT and silicon MOSFET power transistors
| Назив: | Comparative analysis of the switching energy losses in GaN HEMT and silicon MOSFET power transistors | Аутори: | Jovan Mrvić   ; Vladimir Dj. Vukić |
Година: | 2020 | Публикација: | Proceedings, Electrical Engineering Institute "Nikola Tesla" / Zbornik radova, Elektrotehnički institut "Nikola Tesla" 30(1) 93-109 | ISSN: | 0350-8528 Zbornik radova, Elektrotehnički institut Nikola Tesla Претражи идентификатор |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 30 br. 30 str. 93-109 | DOI: | 10.5937/zeint30-29318 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/581322 https://zenodo.org/record/6597734 |
М-категорија: | 53M53 - Национални часопис категорије M53 |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.