Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Effect of GaP strain compensation layers on rapid thermally annealed InGaAs/GaAs quantum dot infrared photodetectors grown by metal-organic chemical-vapor deposition
Naziv: Effect of GaP strain compensation layers on rapid thermally annealed InGaAs/GaAs quantum dot infrared photodetectors grown by metal-organic chemical-vapor deposition
Autori: Fu, L.; McKerracher, I.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Vukmirovic, N.  ; Harrison, P.
Godina: 2007
Publikacija: Applied Physics Letters
ISSN: 0003-6951 Applied Physics Letters Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 91 br. 7
DOI: 10.1063/1.2770765
WoS-ID: 000248866600110
Scopus-ID: 2-s2.0-34548010528
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/772320
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Vukmirovic, Nenad
M-kategorija: 
21a+M21a+ - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21a+

4
SCOPUSTM
5
OpenCitations
4
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.