Rezultati
еНаука >
Резултати >
Effect of GaP strain compensation layers on rapid thermally annealed InGaAs/GaAs quantum dot infrared photodetectors grown by metal-organic chemical-vapor deposition
| Назив: | Effect of GaP strain compensation layers on rapid thermally annealed InGaAs/GaAs quantum dot infrared photodetectors grown by metal-organic chemical-vapor deposition | Аутори: | Fu, L.; McKerracher, I.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Vukmirovic, N.   ; Harrison, P. |
Година: | 2007 | Публикација: | Applied Physics Letters | ISSN: | 0003-6951 Applied Physics Letters Претражи идентификатор |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 91 br. 7 | DOI: | 10.1063/1.2770765 | WoS-ID: | 000248866600110 | Scopus-ID: | 2-s2.0-34548010528 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/772320 | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz ORCID-a) Vukmirovic, Nenad | М-категорија: | 21a+M21a+ - Водећи међународни часопис категорије M21a+ |
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.