Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Effects of rapid thermal annealing on device characteristics of InGaAs/GaAs quantum dot infrared photodetectors
Naziv: Effects of rapid thermal annealing on device characteristics of InGaAs/GaAs quantum dot infrared photodetectors
Autori: Fu, L; Tan, HH; McKerracher, I; Wong-Leung, J; Jagadish, C; Vukmirovic, N  ; Harrison, P
Godina: 2006
Publikacija: Journal of Applied Physics
ISSN: 0021-8979 Journal of Applied Physics Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 99 br. 11
DOI: 10.1063/1.2202704
WoS-ID: 000238314900114
Scopus-ID: 2-s2.0-33745256237
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/773608
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Vukmirovic, Nenad
M-kategorija: 
21aM21a - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21a

46
SCOPUSTM
42
OpenCitations
40
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.