Results
еНаука >
Резултати >
Effects of rapid thermal annealing on device characteristics of InGaAs/GaAs quantum dot infrared photodetectors
| Назив: | Effects of rapid thermal annealing on device characteristics of InGaAs/GaAs quantum dot infrared photodetectors | Аутори: | Fu, L; Tan, HH; McKerracher, I; Wong-Leung, J; Jagadish, C; Vukmirovic, N   ; Harrison, P |
Година: | 2006 | Публикација: | Journal of Applied Physics | ISSN: | 0021-8979 Journal of Applied Physics Претражи идентификатор |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 99 br. 11 | DOI: | 10.1063/1.2202704 | WoS-ID: | 000238314900114 | Scopus-ID: | 2-s2.0-33745256237 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/773608 | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz ORCID-a) Vukmirovic, Nenad | М-категорија: | 21aM21a - Водећи међународни часопис категорије M21a |
Items in eNauka are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.