Резултати

еНаука >  Резултати >  Radiation and annealing related effects in NBT stressed P-channel power VDMOSFETs
Назив: Radiation and annealing related effects in NBT stressed P-channel power VDMOSFETs
Аутори: Danković, Danijel  ; Davidović, Vojkan  ; Golubović, Snežana ; Veljković, Sandra  ; Mitrović, Nikola  ; Đorić-Veljković, Snežana  
Година: 2021
Публикација: Microelectronics Reliability
ISSN: 0026-2714 Microelectronics Reliability Претражи идентификатор
Издавач: United Kingdom : Elsevier {BV}
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 126 str. 114273-114273
DOI: 10.1016/j.microrel.2021.114273
WoS-ID: 000744193900010
Scopus-ID: 2-s2.0-85120893940
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/776667
URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114273
Пројекат: Ministry of Education, Science and Technological Development, Serbia [OI-171026, TR-32026]
[F-148]
Извор метаподатака: (Preuzeto iz ORCID-a) Mitrovic, Nikola
М-категорија: 
22M22 - Међународни часопис категорије M22

7
SCOPUSTM
2
OpenCitations
7
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.