Rezultati

еНаука >  Резултати >  Radiation and annealing related effects in NBT stressed P-channel power VDMOSFETs
Naziv: Radiation and annealing related effects in NBT stressed P-channel power VDMOSFETs
Autori: Danković, Danijel  ; Davidović, Vojkan  ; Golubović, Snežana ; Veljković, Sandra  ; Mitrović, Nikola  ; Đorić-Veljković, Snežana  
Godina: 2021
Publikacija: Microelectronics Reliability
ISSN: 0026-2714 Microelectronics Reliability Pretraži identifikator
Izdavač: United Kingdom : Elsevier {BV}
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 126 str. 114273-114273
DOI: 10.1016/j.microrel.2021.114273
WoS-ID: 000744193900010
Scopus-ID: 2-s2.0-85120893940
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/776667
URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114273
Projekat: Ministry of Education, Science and Technological Development, Serbia [OI-171026, TR-32026]
[F-148]
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Mitrovic, Nikola
M-kategorija: 
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22

7
SCOPUSTM
2
OpenCitations
7
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.