Results

eNauka >  Rezultati >  On temperature coefficient of resistance of boron-doped SiGe films deposited by sputtering
Naziv: On temperature coefficient of resistance of boron-doped SiGe films deposited by sputtering
Autori: Jelenkovic, Emil V; Jevtic, Milan M; Tong, KY; Pang, GKH; Cheung, WY; Jha, Shrawan K
Godina: 2007
Publikacija: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
ISSN: 1369-8001 Materials Science in Semiconductor Processing Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 10 br. 4-5 str. 143-149
DOI: 10.1016/j.mssp.2007.08.001
WoS-ID: 000255256000002
Scopus-ID: 2-s2.0-40949141104
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/805004
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
M-kategorija: 
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21

1
SCOPUSTM
1
WEB OF SCIENCETM
Altmetric
Dimensions
Unpaywall

Items in eNauka are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.